Bàn giao hệ thống tạo hạt dưới nước 5 tấn/giờ

Tháng 1 năm 2022, USEON đã bàn giao một hệ thống tạo hạt dưới nước năng suất 5 tấn/giờ cho một khách hàng tại Trung Quốc. Đây là hệ thống tạo hạt dưới nước thông thường lớn nhất dùng cho tạo hạt EPS.

Tạo hạt dưới nước là phương pháp tạo hạt tương đối tiên tiến, hệ thống gồm van chuyển hướng, máy cắt hạt, hệ thống tuần hoàn nước, máy tách nước ly tâm và hệ thống điều khiển, với các đặc điểm sau:

• Phạm vi ứng dụng rộng: xử lý được hầu hết các loại nhựa nhiệt dẻo, bao gồm biến tính polyolefin và tạo hạt đùn polyme;
• Năng suất lớn: năng suất tới 10 tấn/giờ, trong khi tạo hạt cắt sợi làm mát bằng nước và tạo hạt vòng nước thông thường khó đáp ứng tốt năng suất trên 1 tấn/giờ;
• Sản xuất khép kín và mức độ tự động hóa cao: toàn bộ quá trình sản xuất diễn ra hoàn toàn trong nước, giúp giữ môi trường xưởng sạch sẽ; hệ thống tạo hạt dưới nước không nhạy với dao động áp suất của máy đùn, đảm bảo quy trình ổn định và hiệu quả;
• Phù hợp với polyme mềm: hệ thống tạo hạt dưới nước phù hợp với vật liệu rất mềm và vật liệu có độ nhớt cao, như chất đàn hồi TPR/TPE/TPV và keo nóng chảy (hot melt) EVA;
• Hình dạng sản phẩm đẹp: thành phẩm là hạt tròn. Phương pháp này cũng cho hiệu quả tốt hơn khi sản xuất hạt nhỏ. Hạt thông thường có kích thước 3–4 mm, một số ứng dụng đặc biệt cần hạt 0,7–2 mm để phân tán đồng đều hơn, như hạt màu và một số loại masterbatch chức năng;
• Các loại hạt chứa chất tạo bọt như EPS, PLA, TPU cần được cắt dưới nước bằng hệ thống tạo hạt dưới nước để giữ khí lại trong hạt.

Hệ thống tạo hạt dưới nước ngày càng được nhiều khách hàng ưa chuộng. USEON đã tích lũy nhiều kinh nghiệm trong lĩnh vực này và chế tạo hệ thống tạo hạt dưới nước với năng suất từ 500 kg/h đến 25 tấn/giờ (cho cụm tạo hạt của nhà máy hóa dầu). USEON đã bàn giao hàng chục hệ thống tạo hạt dưới nước cho khách hàng trong và ngoài Trung Quốc, với nhiều ứng dụng trong chất đàn hồi nhiệt dẻo, hạt độn, masterbatch chức năng, hạt mịn, vật liệu phân hủy sinh học, nhựa kỹ thuật và các lĩnh vực khác.